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标题:ROHM品牌BSM180D12P3C007参数SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE的技术与应用介绍 一、技术概述 ROHM(日本电气元件公司)的BSM180D12P3C007是一款采用SIC 2N-CH技术的模块,其电压规格为1200V,电流容量为180A。该模块在高温、高压、高电流等恶劣环境下表现出色,适用于各种需要高功率、高稳定性的电子设备。 SIC 2N-CH技术是ROHM公司自主研发的一种高性能半导体技术,具有高耐压、高电流、低功耗、高效率等特点。该技术适用于各
标题:QORVO威讯联合半导体QPA3246放大器:网络基础设施芯片的技术与方案应用介绍 QORVO威讯联合半导体公司的QPA3246放大器,是一款高性能的网络基础设施芯片,它在无线通信系统中发挥着关键作用。这款放大器不仅具备卓越的性能,还具有高度的灵活性和可靠性,使其在各种网络环境中都能发挥重要作用。 首先,QPA3246放大器采用QORVO独特的混合信号技术,具有宽广的工作频带和低噪声系数。这意味着它可以适应各种无线通信标准,包括Wi-Fi、蓝牙和LTE等,确保了其在各种网络环境中的稳定运
STC宏晶半导体是一家专注于微控制器研发的公司,其推出的STC12C5604AD-35I-LQFP32是一款高性能的微控制器芯片。 STC12C5604AD-35I-LQFP32采用了STC公司特有的STC12C系列内核,该内核具有高性能、低功耗、高可靠性的特点。此外,该芯片还具有丰富的外设接口,如ADC、DAC、PWM、SPI、I2C等,可以满足各种应用场景的需求。 在方案应用方面,STC12C5604AD-35I-LQFP32可以应用于各种工业控制、智能家居、物联网等领域。例如,它可以作为
标题:A3PE1500-2FGG676I微芯半导体IC与FPGA技术方案应用介绍 随着科技的飞速发展,半导体技术也在不断进步。其中,A3PE1500-2FGG676I微芯半导体IC和FPGA技术以其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了半导体行业的重要支柱。 A3PE1500-2FGG676I微芯半导体IC是一款高性能的微处理器,具有强大的数据处理能力和高效的功耗控制。它采用先进的制程技术,具有高集成度、低功耗、高速度等特点,适用于各种需要高速数据处理和复杂算法的应用场景。通过与FPGA的配合,可
抗击疫情的硬仗还没打完,疫后重建的硬仗已经打响了,动力就是“新基建”。什么是“新基建”?覆盖7大领域:5G基建、特高压、城际高铁和城际轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网。 事实上,“新基建”并不是一个新概念,早在2018年底召开的中央经济工作会议上就明确了5G、人工智能、工业互联网、物联网等“新型基础设施建设”的定位,随后“加强新一代信息基础设施建设”被列入2019年政府工作报告。2020年开年的首场国务院常务会议也明确提出,大力发展先进制造业,出台信息网络等新型基础
虽然2020年上半年疫情来势汹汹,肆虐大陆及全球,也影响大陆分离式元件制造业景气的表现,不过在历经2020年上半年疫情冲击中国半导体相关行业营运之后,预计中央财政支援下的积极举措及金融系统的举措,无疑会对中国经济成长率在疫情结束后产生激励的作用,同时原本延迟的终端应用市场需求将会恢复,并且出现补偿式的增长,而中国本产业中长期的发展仍会恢复正轨。 即随着工业控制、家电及新能源行业市场的逐步回暖,尤其是新能源汽车市场的快速发展与智能驾驶技术的应用,绝缘栅双极电晶体(IGBT)在此领域的市场规模可望
台湾积体电路制造(简称台积电、TSMC)和英特尔将增加2020年的设备投资,增至历史最高水平。三星电子的设备投资预计也比2019年增加。这是因为随着采用「EUV(极紫外线)」的光刻设备问世,半导体制造工艺时隔10年正在发生更新换代。虽然新型冠状病毒有可能对投资意愿构成打击,但生产设备企业的优胜劣汰或将加速。 台积电把2020年的设备投资额最多提高至160亿美元。预计比2018年增加5成以上,创出历史新高。英特尔计划2020年投入约170亿美元。三星电子并未透露具体计划,但预计在2019年的26
提名Kurt Sievers为公司新任总裁兼首席执行官人选恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.,纳斯达克代码:NXPI)今日宣布,公司董事会一致提名现年50岁的Kurt Sievers担任总裁兼首席执行官一职。Sievers先生将接替自2009年起一直领导恩智浦的Richard(Rick) Clemmer先生。公司董事会将于2020年5月27日举行的公司年度股东大会上提议这一任命。为确保平稳过渡,科雷鸣先生将继续担任恩智浦战略顾问。恩智浦董事会主席Peter Bonfi
近日上海芯元基半导体科技有限公司(以下简称“芯元基”)宣布,基于其独创的DPSS衬底技术(蓝宝石复合图形衬底),该公司开发出了低位错密度的高阻GaN(氮化镓)材料,可用于电子功率器件和微波射频器件等的制备。芯元基开发的GaN外延晶体质量已经高于蓝宝石衬底的GaN晶体质量,同时结合该公司独有的化学剥离技术可以完美地解决蓝宝石衬底的散热问题,为高端光电子器件、电子功率器件和微波射频器件等提供了一个新的方向。 SiC(碳化硅)和Si(硅)基 GaN 是目前电子功率器件的主要衬底材料。SiC基GaN外
Nexperia安世半导体PMBTA42,185三极管TRANS NPN 300V 0.1A TO236AB的技术和方案应用介绍 Nexperia安世半导体是全球知名的半导体解决方案提供商,其PMBTA42,185三极管TRANS NPN 300V 0.1A TO236AB是一款高性能的电子元器件,广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍PMBTA42,185三极管的技术特点、方案应用以及注意事项。 一、技术特点 PMBTA42,185三极管TRANS NPN 300V 0.1A TO236AB采